GJB128A-97半导体分立器件试验方法

中华人民共和国国家军用标准半导体分立器件试验方法Test methodsFor semicondctor discrete devicesGJB128A-97代替GJB128-861范围1.1主题内容本标准规定了半导体分立器件（以下简称器件）的通用试验方法，包括军用条件下抗损害能力的基本环境试验、机械性能试验和电特性测试。1.2适用范围本标准适用于军用半导体分立器件。1.3应用指南1.3.1规定试验室中的试验条件要适当，使试验结果等效于现场使用结果，试验结果要能再现。但这不能理解为试验条件完全等同某一地区真实的工作条件，这是因为只有在某一地区实际工作的试验才是那个地区真实的工作试验。用一个标准描述各种通用半导体器件规范中性质相似的试验方法时，就可以使这些方法保持统一，从而可以充分利用设备、设施和节省工时。为了达到这一目标，要使每一种通用试验方法适用于多种器件。1.3.2在详细规范中引用本标准的试验方法时应注明本标准编号、试验方法编号及所引用试验方法中应规定的细节。2引用文件GB3131一88锡铅焊料GB4023一86半导体分立器件第2部分：整流二极管GB4024一83半导体器件反向阻断三极晶闸管的测试方法GB4586一94半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB4587一94半导体器件分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB6570一86微波二极管测试方法GB6571一94半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管GB9491一88锡焊用液态焊剂（松香基）》GB11499一89半导体分立器件文字符号GB12300-90功率晶体管安全工作区测试方法GB33A-97半导体分立器件总规范GIB360A一96电子及电气元件试验方法GJB762.1一89半导体器件辐射加固试验方法中子辐照试验GJB762.3一89半导体器件辐射加固试验方法下瞬时拍辐照试验GJB1209一91微电路生产线认证用试验方法和程序联系方式：Xuyj@beice-sh.com13917165676