4集成霍耳传感器的特性测量与应用

实验四集成霍耳传感器的特性测量与应用1879年，霍耳(EH.Ha川)在一个用来判新导体中载流子符号的实验中发现了一种电磁现象，即霍耳效应.后来人们发现半导体、导电流体等也有这种效应，而且半导体的霍耳效应比金属强很多.基于霍耳效应测定的霍耳系数，可用于确定半导体材料的导电类型、载流子浓度及迁移率等参数.导电流体中的霍耳效应也是目前正在研究中的“磁流体发电”的理论基础.近年来，霍耳效应实验不断有新发现.1980年，德国物理学家克利芩(K.VoKlitzing)在低温和强磁场下发现了量子霍耳效应，这是近年来凝聚态物理领域最重要的发现之一.克利芩也因这一重要发现而获得1985年的诺贝尔物理学奖.目前对量子霍耳效应仍在进行更深入的实验和理论研究，并已取得了重要应用.例如用于确定电阻的自然基准，可以极为精确地测定光谱精细结构常数.近三十多年以来，基于霍耳效应用具有高载流子迁移率的半导体材料制成的霍耳传感器的制造技术和应用得到了全面发展.新的制造技术，如集成电路技术和分子束外延技术的应用，使得霍耳传感器具有高的可靠性、高的灵敏度和良好的温度稳定性，而在汽车、电力电子技术、无刷直流电机、电能管理、遥控、遥测、计算机数据采集以及医疗仪器上形成了广泛的产业性应用.【实验目的】1.了解霍耳效应原理和集成霍耳传感器的工作原理：2.通过测量螺线管励磁电流与集成霍耳传感器输出电压的关系，证明霍耳电势差与磁感应强度成正比：3.用通电螺线管中心点处磁感应强度的理论计算值校准集成霍耳传感器的灵敏度：4.测量螺线管内磁感应强度沿螺线管中轴线的分布，并与相应的理论曲线比较.【实验原理】1.霍耳效应将一导电体（金属或半导体）薄片放在磁场中，并使薄片平面垂直于磁场方向（如图1所示).当薄片纵向端面有电流I流过时，在与电流I和磁场B垂直的薄片横向端面a、b间就会产生一电势差，这种现象称为霍耳效应(Hall effect),所产生的电势差叫做霍耳电势差或霍耳电压，用UH表示.霍耳效应是由运动电荷（载流子）在磁场中受到洛伦兹力的作用引起的.洛伦兹力使载流子发生偏转，在薄片横向端面上聚积电荷形成不断增大的横向电场EH(称霍耳电++千b++++++图1霍耳效应原理33