804半导体物理标准考试大纲

中国科学院大学硕士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲本《半导体物理》考试大纲适用于中国科学院大学微电子学与固体电子学专业的硕士研究生入学考试。半导体物理学是现代微电子学与固体电子学的重要基础理论课程，它的主要内容包括半导体的晶格结构和电子状态：杂质和缺陷能级：载流子的统计分布：载流子的散射及电导问题：非平衡载流子的产生、复合及其运动规律：半导体的表面和界面一包括p结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结：半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体部分。要求考生对其基本概念有较深入的了解，能够系统地掌握书中基本定律的推导、证明和应用，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。一、考试形式(一)闭卷，笔试，考试时间180分钟，试卷总分150分(二)试卷结构第一部分：名词解释约50分第二部分：简答题，约20分第三部分：计算题、证明题，约80分二、考试内容(一)半导体的电子状态：半导体的晶格结构和结合性质，半导体中的电子状态和能带，半导体中的电子运动和有效质量，本征半导体的导电机构，空穴，回旋共振人硅和锗的能带结构，III一V族化合物半导体的能带结构，II一V1族化合物半导体的能带结构(二)半导体中杂质和缺陷能级：硅、锗晶体中的杂质能级，III一V族化合物中杂质能级，缺陷位错能级(三)半导体中载流子的统计分布状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度，一般情况下的载流子统计分布，简并半导体(四)半导体的导电性载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率及其与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程，电导率的统计理论，强电场下的效应，热载流子，多能谷散射，耿氏效应(五)非平衡载流子非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动，载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式，连续性方程式(六)p-n结p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容，p-n结击穿，p-n结隧道效应(七)金属和半导体的接触金属半导体接触及其能级图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接触1/4